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之前有消息稱，臺積電正在籌集更多的資金，為的是向ASML購買更多更先進制程的EUV光刻機，而這些都是為了新制程做準備。
在不久前舉辦的線上活動中，歐洲微電子研究中心IMEC首席執行官兼總裁Luc Van den hove在線上演講中表示，在與ASML公司的合作下，更加先進的光刻機已經取得了進展。
Luc Van den hove表示，IMEC的目標是將下一代高分辨率EUV光刻技術高NA EUV光刻技術商業化。由于此前得光刻機競爭對手早已經陸續退出市場，目前ASML把握著全球主要的先進光刻機產能，近年來，IMEC一直在與ASML研究新的EUV光刻機，目前目標是將工藝規模縮小到1nm及以下。
目前ASML已經完成了NXE:5000系列的高NA EUV曝光系統的基本設計，至于設備的商業化。要等到至少2022年，而等到臺積電和三星拿到設備，之前要在2023年。
與此同時，臺積電在材料上的研究，也讓1nm成為可能。臺積電和交大聯手，開發出全球最薄、厚度只有0.7納米的超薄二維半導體材料絕緣體，可望借此進一步開發出2納米甚至1納米的電晶體通道。
據悉，臺積電正為2nm之后的先進制程持續覓地，包含橋頭科、路竹科，均在臺積電評估中長期投資設廠的考量之列。
