據(jù)介紹,三星GAAFET晶體管在構(gòu)造上有兩種形態(tài),是目前FinFET的升級版。一是傳統(tǒng)的GAAFET工藝,采用三層納米線來構(gòu)造晶體管,柵極比較薄;二是三星提出的MBCFET工藝,使用納米片構(gòu)造晶體管,完全兼容FinFET設(shè)計,不需要任何新的制造工具,同時可通過GAA結(jié)構(gòu)減輕短溝道效應(yīng),還通過擴展通道面積來提高性能。
三星曾在2019年介紹過GAE工藝的原理,而且當(dāng)時還宣布未來10年將會在包括代工業(yè)務(wù)在內(nèi)的邏輯芯片業(yè)務(wù)上投資133兆韓元以超越臺積電,成為全球第一大芯片代工廠。另外,GAE工藝相比7LPP工藝,可實現(xiàn)30%的性能提升,功耗降低50%,晶體管密度提升80%。








