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基本上全球的IC設(shè)計巨頭，都是臺積電的客戶，比如蘋果、高通、華為、AMD，聯(lián)發(fā)科，連intel似乎都要求臺積電了。
這對于同為芯片代工巨頭的三星來講，壓力巨大，當年三星靠著梁孟松，用14nm的FinEFT工藝，從臺積電手中搶到了蘋果的訂單，但那之后就沒戲了，這對于三星來講，真的是個巨大的打擊。
所以這幾年三星也是想盡了辦法，想要用更新的技術(shù)，就像當年14nm工藝的FinEFT技術(shù)一樣，強壓臺積電一頭，搶到更多的訂單。
之前7nm、5nm工藝沒什么機會，但這次3nm工藝，三星終于盼到了機會。臺積電從14nm到5nm，再到3nm都是很保守地采用FinEFT工藝，沒有變過。
所以三星計劃在3nm時采用GAA工藝，比臺積電更領(lǐng)先，從而超過臺積電，從臺積電手中搶到更多的訂單。
而近日，三星全球首秀了3nm芯片，果然采用的是GAA工藝，這是一顆3nm的 SRAM芯片。容量達到了256GB，但面積只有56平方毫米。
更重要的是寫入電壓只要0.23V，這對于芯片來講，漏電現(xiàn)象將大大的改善，畢竟漏電已經(jīng)是芯片功耗的最大殺手了，目前漏電所產(chǎn)生的功耗占了芯片功耗的50%以上，臺積電曾經(jīng)更是因為漏電都有一個“臺漏電”的稱號。
按照三星的說法，3GAE可將晶體管密度增加最多80％，性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。而臺積電公布自己的3nm的FinEFT工藝，是管密度增加70％，性能可提升11％，或者功耗可降低27％。很明顯三星的GAA晶體管技術(shù)更勝一籌。
三星的3nm芯片將于2022年量產(chǎn)，臺積電的3nm工藝也將于明年量產(chǎn)，這就真的是神仙打架了，看誰的芯片更快量產(chǎn)，性能更棒了，如果三星真的能夠更領(lǐng)先，改寫全球代工市場格局的機會，也許就真的到了
