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9月21日消息，上周有投資者向中芯國際求證中芯關(guān)于下一代芯片量產(chǎn)消息，中芯國際回答表示，中芯國際第二代 FinFET N+1 已進入客戶導(dǎo)入階段，可望于 2020 年底進行小批量試產(chǎn)。
中芯國際于 2019 年實現(xiàn)了國內(nèi)最先進的 14nm 工藝制程量產(chǎn)，并已為華為麒麟 710A 芯片等進行代工。
今年 6 月，中芯國際表示，14nm 晶圓代工產(chǎn)能正處于初期布局階段，因此全球份額相對較低，不過第一代 14nm FinFET 技術(shù)已進入量產(chǎn)階段，而且技術(shù)上處于國際領(lǐng)先水平，且具有一定的性價比，目前已同眾多客戶開展合作，預(yù)測產(chǎn)能利用率可以穩(wěn)定保持在較高水平。
而關(guān)于中芯國際在下一代技術(shù)節(jié)點的開發(fā)情況，中芯國際表示第二代 FinFET 技術(shù)目前已進入客戶導(dǎo)入階段，與第一代對比有望在性能上提高約 20%，功耗降低約 7%，面積縮小 63%。
中芯國際表示，14nm 及以下先進工藝主要應(yīng)用于 5G 、人工智能、智能駕駛、高速運算等新興領(lǐng)域，未來發(fā)展前景廣闊。
中芯國際 12 英寸芯片 SN1 項目是中國內(nèi)地第一條 14nm 及以下先進工藝生產(chǎn)線，規(guī)劃月產(chǎn)能為 3.5 萬片晶圓，目前已建成月產(chǎn)能 6000 片。
值得一提的是，目前由于外媒分析稱中芯國際在第二代 FinFET 制程能效不及臺積電 7nm 工藝，且有博主稱中芯國際第二代 FinFET N+1 技術(shù)等效于臺積電 8nm 工藝，因此不少媒體以訛傳訛，最后傳出中芯國際官宣 8nm 的烏龍事件。
