聯(lián)系方式
- 深圳市堃聯(lián)技術(shù)有限公司
- 聯(lián)系人:堃聯(lián)技術(shù)
- 經(jīng)營范圍:SiC MOSFET,第三代半導(dǎo)體,車規(guī)碳化硅MOSFET,應(yīng)用SiC碳化硅MOSFET帶來一流的系統(tǒng)效率,更高的功率密度,更低的系統(tǒng)成本,第三代半導(dǎo)體材料SiC擁有卓越的開關(guān)性能、溫度穩(wěn)定性和低電磁干擾(EMI),極其適合新一代電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如太陽能逆變器、電源、電動汽車和工業(yè)電源,儲能逆變器SiC MOSFET,SiC碳化硅模塊,混合IGBT,V2G充電樁SiC MOSFET,無橋FPC SiC碳化硅MOSFET,圖騰柱SiC碳化硅MOSFET,PFC碳化硅二極管SiC SBD,光伏碳化硅SiC模塊,
- 所在地區(qū):深圳市龍崗區(qū)坂田街道雅寶路1號星河WORLD大廈F座15層
- 電話:0755-85557778
- 郵件:anson.liu@kun-tech.net
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友情鏈接
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| 公司名稱: |
深圳市堃聯(lián)技術(shù)有限公司 |
公司類型: |
企業(yè) () |
| 所在地區(qū): |
廣東/深圳市 |
公司規(guī)模: |
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| 注冊資本: |
未填寫 |
注冊年份: |
2006 |
| 資料認(rèn)證: |
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| 保 證 金: |
已繳納 ¥0.00 元 |
| 經(jīng)營范圍: |
SiC MOSFET,第三代半導(dǎo)體,車規(guī)碳化硅MOSFET,應(yīng)用SiC碳化硅MOSFET帶來一流的系統(tǒng)效率,更高的功率密度,更低的系統(tǒng)成本,第三代半導(dǎo)體材料SiC擁有卓越的開關(guān)性能、溫度穩(wěn)定性和低電磁干擾(EMI),極其適合新一代電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如太陽能逆變器、電源、電動汽車和工業(yè)電源,儲能逆變器SiC MOSFET,SiC碳化硅模塊,混合IGBT,V2G充電樁SiC MOSFET,無橋FPC SiC碳化硅MOSFET,圖騰柱SiC碳化硅MOSFET,PFC碳化硅二極管SiC SBD,光伏碳化硅SiC模塊, |
| 銷售產(chǎn)品: |
SiC MOSFET,第三代半導(dǎo)體,車規(guī)碳化硅MOSFET,應(yīng)用SiC碳化硅MOSFET帶來一流的系統(tǒng)效率,更高的功率密度,更低的系統(tǒng)成本,第三代半導(dǎo)體材料SiC擁有卓越的開關(guān)性能、溫度穩(wěn)定性和低電磁干擾(EMI),極其適合新一代電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如太陽能逆變器、電源、電動汽車和工業(yè)電源,儲能逆變器SiC MOSFET,SiC碳化硅模塊,混合IGBT,V2G充電樁SiC MOSFET,無橋FPC SiC碳化硅MOSFET,圖騰柱SiC碳化硅MOSFET,PFC碳化硅二極管SiC SBD,光伏碳化硅SiC模塊, |
| 采購產(chǎn)品: |
SiC MOSFET,第三代半導(dǎo)體,車規(guī)碳化硅MOSFET,應(yīng)用SiC碳化硅MOSFET帶來一流的系統(tǒng)效率,更高的功率密度,更低的系統(tǒng)成本,第三代半導(dǎo)體材料SiC擁有卓越的開關(guān)性能、溫度穩(wěn)定性和低電磁干擾(EMI),極其適合新一代電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如太陽能逆變器、電源、電動汽車和工業(yè)電源,儲能逆變器SiC MOSFET,SiC碳化硅模塊,混合IGBT,V2G充電樁SiC MOSFET,無橋FPC SiC碳化硅MOSFET,圖騰柱SiC碳化硅MOSFET,PFC碳化硅二極管SiC SBD,光伏碳化硅SiC模塊, |
| 主營行業(yè): |
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