小小的一顆芯片上集結了人類最為頂尖的文明，制造一顆芯片所使用到的技術，也是全球最為先進的，而目前芯片也成為了科技進步的“關鍵因素”，面對即將到來的數字化時代，每一個行業的改革芯片都是重要的“參與者”。

就拿我們目前的手機來舉個例子吧，如果沒有芯片的話，目前我們使用的手機就會變成一塊廢鐵，目前芯片在各個行業當中的占比越來越重，因此目前無論是芯片設計公司還是代工廠都成為了“香餑餑”。

在芯片整個產業鏈當中，芯片的制造環節是最難的，在全球范圍內的芯片代工廠也是屈指可數，得益于ASML公司的股東身份，臺積電有了優先獲取光刻機的權利，因此臺積電也成為了全球最大的芯片代工廠，占據了全球市場份額的51%以上。

能夠取得這樣的成就，主要還是歸功于臺積電的先進技術，已經擁有了成熟的5nm量產工藝，目前正在朝3nm的制程工藝邁進，臺積電將在今年實現對于3nm芯片的風險試產，預計將會在明年完成正式的量產。

目前各方面優勢都已經倒向了臺積電，我們也一致認為臺積電會率先制造出3nm的芯片，然而令人沒想到的是，作為臺積電最大競爭對手的三星，會率先生產出3nm的芯片，臺積電的代工地位也受到了挑戰，這一次要去居第二了嗎？

三星3nm芯片正式亮相

根據最新消息顯示，三星在IEEE ISSCC固態電路大會中，公開展示了自己的3nm“SRAM”存儲芯片，雖然這一次推出了是工藝相對簡單的存儲芯片，但卻是實打實的利用3nm技術打造的，這顆芯片的面積僅為56平方毫米，其內存容量卻達到了32GB。

在很早之前就有消息傳出，三星有可能直接放棄研發更為成熟的5nm工藝，直接越級研發3nm的工藝，而根據最新的消息顯示，有可能這一次三星已經實現了“彎道超車”，而利用的就是此前傳出的新技術GAAFET（環繞柵極場效應晶體管）。

而傳統芯片的制造采用的都是FINFET技術，相較而言GAAFET技術在集體管的排列上更加的緊密，在能耗控制上至少降低了50%，而在性能上至少提升超過30%，只需要0.23毫安的能源就可以運行。

顯然相比于臺積電的老技術，三星最新的技術要更具備優勢，此前臺積電制造的5nm芯片在相關性能上并沒有比7nm芯片提升多少，反而在功耗上提高了不少，而這也是5nm芯片的通病，因此最有可能的原因就在于技術上。

雖然臺積電的良品率要優于三星很多，但如果不能有效地控制好能耗，提升一定的性能，相信很多的芯片企業也不會為此買單的，因此臺積電也將面臨著不小的挑戰，畢竟三星覆蓋的業務范圍較廣，而臺積電除了芯片代工技術以外，似乎已經拿不出任何的亮點了。

所以對于臺積電而言，在3nm的制程工藝上，他們絲毫沒有退路可言了，而三星之所以在良品率上有所欠缺，很大一部分原因是所涉及的業務過于繁雜，并沒有把全部的精力用于芯片上，而且相比于財力，臺積電跟三星也是沒有辦法比較的。

就算是面臨這樣的困境，臺積電也并非一點機會都沒有的，因為臺積電是最早突破3nm技術屏障的企業，雖然三星首發了3nm的芯片，但也僅僅是存儲芯片，而臺積電的最大優勢就在于良品率高、技術成熟，因此也并非沒有逆襲的機會了。