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可能很多人不理解，全球沒有一個國家，能夠完全靠自己，不依賴別人就能夠生產出芯片來的，美國不行、日本不行，韓國也不行，為何中國偏要行？
這是因為日本、韓國都是美國的小弟，所以美國愿意“賞”口飯給日本、韓國吃；所以像日本、韓國等可以不建立芯片全產業鏈，依賴美國也沒什么問題。
但中國要崛起，就不吃美國那一套，芯片將是中美科技的主戰場，就必須得打破封鎖，擁有自己的全套產業鏈，所以只有靠自己。
而我們知道芯片制造需要幾十上百種設備，幾百道工序，非常復雜，同時芯片制造遵循短板理論，那就是最高工藝，取決于最落后的那一款，也就是最短的那一塊“板子”。
那么問題就來了， 目前國內在芯片制造過程中，最落后的那一環是什么？
在芯片制造的過程中，可以精略的分為8個主要流程，分別是擴散、薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入、CMP拋光、金屬化、前道測試，所以至少有8種關鍵設備。
那么這8種關鍵設備中，哪一環最弱？可能很多人都非常清楚，那就是光刻，目前在擴散、薄膜沉積、離子注入、CMP拋光、前道測試等領域，國產至少達到了28nm，有些甚至達到了14nm，像刻蝕設備最牛，達到了5nm，中微半導體的刻蝕機，臺積電都在用，早達5nm了。
但光刻部分，目前最強的企業是上海微電子，官網顯示，精度還在90nm，據稱90nm分辨率的光刻機，經過多重曝光后，可達28nm，但至今沒有誰驗證過，因為這樣多重曝光后，良品率沒法保證，廠商們不敢冒險。
那么你以為光刻就是最落后的一環了？如果只說設備，那應該是的，但如果考慮到半導體材料，則又不是的，因為像電子特氣、拋光墊、高純靶材、濕化學品這幾個領域，國內沒有做到100%覆蓋，有些必須從美國、日本進口。
所以嚴格說起來，最短的短板在材料，其次是光刻設備，只有把這兩塊都解決掉之后，國內才真正擁有全產業鏈，并且達到28nm左右、甚至14nm左右的水平，否則全國產制造芯片，就是“水中望月”。
