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盡管中國十分重視半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，想要在芯片領(lǐng)域突圍，逐漸替代進口芯片，但仍需要一定的時間。只不過，雖然美、韓等國主導(dǎo)者芯片參數(shù)設(shè)計，但中國也有一些企業(yè)在相關(guān)領(lǐng)域領(lǐng)跑，臺積電算是其中之一。
臺積電領(lǐng)跑代工領(lǐng)域
臺積電作為全球幾大芯片代工廠，在芯片代工領(lǐng)域中表現(xiàn)出色，供應(yīng)鏈遍布全球。自美國總統(tǒng)拜登上任后，曾多次強調(diào)芯片的重要性，近來也有消息傳出美國正積極拉攏臺積電支持美國芯片制造業(yè)，并愿意提供近500億美元的巨額補貼，希望臺積電等外國芯片代工巨頭在美國設(shè)立高端芯片代工廠，足以說明臺積電在行業(yè)中的重要性。
芯片領(lǐng)域之所以受到各國的關(guān)注，不僅在于它與電子產(chǎn)品密切相關(guān)，還在于它的制程工藝。要知道，根據(jù)摩爾定律，集成電路可容納的晶體管可以不斷翻倍，這意味著芯片的集成度和制程工藝有能力延續(xù)下去。
但事實上，芯片制造工藝繁雜，涉及到多道工序，再加上精細到納米級的工藝參數(shù)，想要突破5nm以下的芯片工藝，想要取得工藝的創(chuàng)新突破是相當困難的一件事，是需要花費大量的時間和成本的。
臺積電再傳捷報
近來，美國IBM表示已突破了2nm芯片制造技術(shù)，與7nm芯片相比將提升45%的性能，能耗方面則降低了75%。除了2nm工藝的攻破，臺積電方面先是宣布將于2022年下半年進入3nm量產(chǎn)階段，此外還公布了有關(guān)1nm芯片制程研發(fā)的最新進展。
今年5月份，臺積電在與臺大、美國麻省理工的聯(lián)合研究下，成功提出了利用半金屬鉍作為二維材料的接觸極來替代原有的硅元素，這樣一來可以利用鉍元素降低電阻提升傳輸電流的化學(xué)屬性，進一步加快突破摩爾定律極限，協(xié)助1nm芯片的研發(fā)制造。
不得不說，在美國的芯片禁令下，大陸芯片進口受到了嚴重沖擊，可如今臺積電在1nm芯片制程工藝取得重要進展，或?qū)⒃跓o形中提高了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的影響力，為什么這么說呢？這與中國的豐富的礦產(chǎn)資源息息相關(guān)。
臺積電此次提出新制程原材料鉍，是從鉍礦種加工提取的，而中國擁有大量的鉍礦資源，占全球鉍礦資源比重高達75%，每年從中國出口的鉍礦數(shù)量占全球鉍礦總產(chǎn)量的89%。倘若在之后1nm芯片工藝中采用了鉍元素，則意味著中國掌握了最關(guān)鍵的制造材料，如此一來中國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的地位必然會得到提升。
可預(yù)料的是，未來各行各業(yè)對于芯片的依賴程度會繼續(xù)擴大，但受美國制約下的華為已失去了芯片的代工和采購渠道，任正非及時調(diào)整方向。眼下，華為除了穩(wěn)定保障手機業(yè)務(wù)的運營外，已經(jīng)將業(yè)務(wù)重點轉(zhuǎn)向軟件開發(fā)、系統(tǒng)操作以及智能汽車等領(lǐng)域。在繼續(xù)華為海思芯片研發(fā)的同時，加快華為各領(lǐng)域業(yè)務(wù)部署，減少對芯片的依賴。
